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上海伯东 KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻

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后更新时间:2022-05-13
人气值 9
品牌:
KRI
 
 
 
售后服务:由伯东企业(上海)有限公司从上海浦东新区发货,并提供售后服务
  • KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
    客户案例一: 上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

    作为蚀刻机的核心部件, KRI  射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!

    客户案例二: 射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻

    ------------ 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 220安装于蚀刻机中--------

    客户案例三:  KRI 射频离子源安装在日本 NS 离子蚀刻机中, 对应用于半导体后端的 6寸晶圆进行刻蚀
    Hakuto (NS) 离子蚀刻机技术规格:


    型号

    NS 7.5IBE

    NS 10IBE

    NS 20IBE-C

    NS 20IBE-J

    适用范围

    适用于科研院所,实验室研究

    适合小规模量产使用和实验室研究

    适合中等规模量产使用的离子刻蚀机

    适合大规模量产使用的离子刻蚀机

    基片尺寸

    Φ4 X 1片或
    Φ6 X 1片

    φ8 X 1片

    φ3 inch X 8片
    φ4 inch X 6片
    φ8 inch X 1片

    Φ4 inch X 12片
    φ5 inch X 10片
    φ6 inch X 8片

    离子源

    8cm 或 10cm
    考夫曼离子源

    10cm NS离子源

    20cm 考夫曼离子源

    20cm 考夫曼离子源


    上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
    RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
    RFICP  系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工##, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等


    1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东邓女士分机134


  • 位于中国上海浦东外高桥保税区的伯东企业(上海)有限公司创建于1995年12月,是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业,公司注册资金为800万美元。    本公司主要是一家以经营电子接插件、线束、电线以及机械设备、真空产品等精密仪器、设备的维修,以及以半导体制造装置、基板制造装置、电脑软件为主的国际贸易、转口贸易及保税区企业间贸易及保税区贸易代理、贸易及相关技术咨询的公司。 公司一直坚持品质一、信誉至上的原则,为广大客户提供了高品质的产品以及良好的售后服务。到目前为止已先后通过了美国UL安全认证、 ISO9001-2000质量体系认证、ISO14001-1996环境体系认证。公司将在今后的发展中秉承以人为本,不断开拓进取的精神,为满足客户的需求努力向专业化、优质化、集团化发展。
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