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上海伯东 KRI 离子源应用

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后更新时间:2022-05-13
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品牌:
KRI
 
 
 
售后服务:由伯东企业(上海)有限公司从上海浦东新区发货,并提供售后服务

  • KRI 离子源应用
    上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.


     常见的工艺应用

    简称

     In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗

    PC

     Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性
     - Surface polishing or smoothing 表面抛光
     - Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
     - Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
     - Ion trimming and tuning 离子表面##化
     - Surface activated bonding

    IBSM


    SAB

     Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积

    IBAD

     Ion Beam Etching 离子蚀刻
     - Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
     - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻

    IBE
    RIBE
    CAIBE

     Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
     - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
     - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射

    IBSD
    RIBSD
    BTIBSD

     Direct Deposition 直接沉积
     - Hard and functional coatings 硬质和功能膜

    DD


    作为一种##兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.


    薄膜镀膜
     

    精密薄膜控制
    薄膜为若干单层膜

    考夫曼离子源
     

    半导体
    可重复使用的金属涂层附着力

    离子蚀刻
     

    蚀刻晶元
    刻蚀均匀性和临界几何尺寸

    离子源
     

    MEMS, 传感器和显示器
    表面##化
     

    离子源
     

    精密光学
    薄膜致密稳定, 折射率##化, 吸收率低

    离子源
     

    磁数据存储
    金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀



    1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东邓女士分机134


  • 位于中国上海浦东外高桥保税区的伯东企业(上海)有限公司创建于1995年12月,是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业,公司注册资金为800万美元。    本公司主要是一家以经营电子接插件、线束、电线以及机械设备、真空产品等精密仪器、设备的维修,以及以半导体制造装置、基板制造装置、电脑软件为主的国际贸易、转口贸易及保税区企业间贸易及保税区贸易代理、贸易及相关技术咨询的公司。 公司一直坚持品质一、信誉至上的原则,为广大客户提供了高品质的产品以及良好的售后服务。到目前为止已先后通过了美国UL安全认证、 ISO9001-2000质量体系认证、ISO14001-1996环境体系认证。公司将在今后的发展中秉承以人为本,不断开拓进取的精神,为满足客户的需求努力向专业化、优质化、集团化发展。
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