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上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000

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后更新时间:2022-05-11
人气值 10
品牌:
KRI
 
 
 
售后服务:由伯东企业(上海)有限公司从上海浦东新区发货,并提供售后服务
  • ###格货期电议


    上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他##备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

    尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5

    放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 15A

    操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

    KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性:

    ? 水冷 - eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流

    ? 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

    ? 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

    ? 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便

    ? 高效的等离子转换和稳定的功率控制

    KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数:

    型号

    eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

    供电

    DC magnetic confinement

      - 电压

    40-300V VDC

      - 离子源直径

    ~ 5 cm

      - 阳极结构

    模块化

    电源控制

    eHx-30010A

    配置

    -

      - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

      - 离子束发散角度

    > 45° (hwhm)

      - 阳极

    标准或 Grooved

      - 水冷

    前板水冷

      - ##座

    移动或快接法兰

      - 高度

    4.0'

      - 直径

    5.7'

      - 加工材料

    金属

    电介质

    半导体

      - 工艺气体

    Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

      - 安装距离

    16-45”

      - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

    KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域:

    ?  离子辅助镀膜 IAD

    ?  预清洗 Load lock preclean

    ?  预清洗 In-situ preclean

    ?  Direct Deposition

    ?  Surface Modification

    ?  Low-energy etching

    ?  III-V Semiconductors

    ?  Polymer Substrates


    1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东邓女士分机134


  • 位于中国上海浦东外高桥保税区的伯东企业(上海)有限公司创建于1995年12月,是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业,公司注册资金为800万美元。    本公司主要是一家以经营电子接插件、线束、电线以及机械设备、真空产品等精密仪器、设备的维修,以及以半导体制造装置、基板制造装置、电脑软件为主的国际贸易、转口贸易及保税区企业间贸易及保税区贸易代理、贸易及相关技术咨询的公司。 公司一直坚持品质一、信誉至上的原则,为广大客户提供了高品质的产品以及良好的售后服务。到目前为止已先后通过了美国UL安全认证、 ISO9001-2000质量体系认证、ISO14001-1996环境体系认证。公司将在今后的发展中秉承以人为本,不断开拓进取的精神,为满足客户的需求努力向专业化、优质化、集团化发展。
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